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Vishay 60V TrenchFET第四代n沟道功率MOSFET 专用于标准栅极驱动电路

2019年08月12日 10:51 次阅读

器件专门用于标准栅极驱动电路,栅极电荷低至22.5 nC,QOSS为34.2 nC,采用PowerPAK 1212-8S封装。

宾夕法尼亚、MALVERN—2019年8月12日 — 日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出新款60 V TrenchFET第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN,业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件,10 V条件下最大导通电阻降至4 mW,采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK1212-8S封装。Vishay Siliconix SiSS22DN专门用于提高功率转换拓扑结构的效率和功率密度,栅极电荷仅为22.5 nC,同时具有低输出电荷(QOSS)。

Vishay 60V TrenchFET第四代n沟道功率MOSFET 专用于标准栅极驱动电路

与逻辑电平60 V器件不同,SiSS22DN提高了典型VGS(th)和Miller(米勒)平台电压,适用于栅极驱动电压高于6 V的电路,器件最佳动态特性缩短死区时间,防止同步整流应用发生击穿。SiSS22DN业内低导通电阻比排名第二的产品低4.8%—与领先的逻辑电平器件不相上下—QOSS为34.2 nC,QOSS与导通电阻乘积,即零电压开关(ZVS)或开关柜拓扑结构功率转换设计中,MOSFET的重要优值系数(FOM)达到最佳水平。为实现更高功率密度,器件比6 mm x 5 mm封装类似解决方案节省65%的PCB空间。

SiSS22DN改进了技术规格,经过调校最大限度降低导通和开关损耗,多电源管理系统构件可实现更高效率,包括AC/DCDC/DC拓扑结构同步整流、DC/DC转换器主边开关、降压-升压转换器半桥MOSFET功率级,以及通信和服务器电源OR-ing功能、电动工具和工业设备电机驱动控制和电路保护电池管理模块的电池保护和充电。

MOSFET经过100 % RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素

SiSS22DN现可提供样品并已实现量产,供货周期为30周,视市场情况而定。

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FSEZ1317WA 集成了功率MOSFET的初...

代初级侧调节(PSR)和高度集成的PWM控制器提供多种功能,以增强低功耗反激式转换器的性能。 FSEZ1317WA的专有拓扑结构TRUECURRENT可实现精确的CC调节,并简化电池充电器应用的电路设计。与传统设计或线性变压器相比,可以实现低成本,更小,更轻的充电器。为了最大限度地降低待机功耗,专有绿色模式提供关断时间调制,以在轻载时线性降低PWM频率条件。绿色模式有助于电源满足节能要求。 通过使用FSEZ1317WA,可以用很少的外部元件实现充电器并降低成本。 特性 30mW以下的低待机功率 高压启动 最少的外部元件计数 恒压(CV)和恒流(CC)控制无二次反馈电路 绿色模式:线性降低PWM频率 固定频率为50kHz的PWM频率以解决EMI问题 CV模式下的电缆补偿 CV中的峰值电流模式控制模式 逐周期电流限制 V DD 使用Auto Restar进行过压保护t V DD 欠压锁定(UVLO) 栅极输出最大电压钳位在15V 自动重启固定过温保护 7导联SOP 应用 电子书阅读器 外部AC-DC商用电源 - 便携消费型 外部AC-D...

发表于 2019-07-29 19:02 11次阅读
FSEZ1317WA 集成了功率MOSFET的初...

FSEZ1016A 带有集成式MOSFET的初级...

度集成的PWM控制器具备多种功能,可增强低功率反激转换器的性能.FSEZ1016A专有的拓扑简化了电路设计,特别是电池充电器应用中的电路设计。与传统设计或线性变压器相比,它成本更低,尺寸更小,具有更轻的充电器。启动电流仅为10μA,允许使用大启动电阻以实现进一步的节能。为了最大限度地降低待机功耗,专有绿色模式提供了关断时间调制,以在轻载条件下线性降低PWM频率。绿色模式有助于电源达到节电要求。通过使用FSEZ1016A,充电器可以用极少的外部元件和最低的成本来完成.FSEZ1016A系列控制器提供7引脚SOIC封装。 特性 恒压(CV)和恒流(CC)控制( 通过飞兆专有的TRUECURRENT技术实现精准恒定电流 绿色模式功能:线性降低PWM频率 42 kHz的固定PWM频率(采用跳频来解决电磁干扰问题) 恒压模式下的电缆补偿 低启动电流:10μA 低工作电流:3.5 mA 恒压模式下的峰值电流模式控制 逐周期限流 V DD 过压保护(带自动重启) V DD 欠压锁定(UVLO) 带闩锁的固定过温保护(OTP) 采用SOIC-7封装 应用 ...

发表于 2019-07-29 19:02 9次阅读
FSEZ1016A 带有集成式MOSFET的初级...

NCP81231 降压控制器 USB供电和C型应...

31 USB供电(PD)控制器是一款针对USB-PD C型解决方案进行了优化的同步降压控制器。它们是扩展坞,车载充电器,台式机和显示器应用的理想选择。 NCP81231采用I2C接口,可与uC连接,以满足USB-PD时序,压摆率和电压要求。 NCP81231工作在4.5V至28V 特性 优势 I2C可配置性 允许电压曲线,转换速率控制,定时等 带驱动程序的同步降压控制器 提高效率和使用标准mosfet 符合USB-PD规范 支持usb-pd个人资料 过压和过流保护 应用 终端产品 USB Type C 网络配件 消费者 停靠站 车载充电器s 网络中心 桌面 电路图、引脚图和封装图...

发表于 2019-07-29 19:02 35次阅读
NCP81231 降压控制器 USB供电和C型应...

NCP81239 4开关降压 - 升压控制器 U...

39 USB供电(PD)控制器是一种同步降压升压,经过优化,可将电池电压或适配器电压转换为笔记本电脑,平板电脑和台式机系统以及使用USB的许多其他消费类设备所需的电源轨PD标准和C型电缆。与USB PD或C型接口控制器配合使用时,NCP81239完全符合USB供电规范。 NCP81239专为需要动态控制压摆率限制输出电压的应用而设计,要求电压高于或低于输入电压。 NCP81239驱动4个NMOSFET开关,允许其降压或升压,并支持USB供电规范中指定的消费者和供应商角色交换功能,该功能适用于所有USB PD应用。 USB PD降压升压控制器的工作电源和负载范围为4.5 V至28 V. 特性 优势 4.5 V至28 V工作范围 各种应用的广泛操作范围 I2C接口 允许uC与设备连接以满足USB-PD电源要求 将频率从150 kHz切换到1200 kHz 优化效率和规模权衡 过渡期间的压摆率控制 允许轻松实施USB-PD规范 支持USB-PD,QC2.0和QC3.0配置文件 过电压和过流保护 应用 终端产品 消费者 计算 销售点 USB Type-C USB PD 桌面 集线器 扩展...

发表于 2019-07-29 19:02 32次阅读
NCP81239 4开关降压 - 升压控制器 U...

ADP3211 同步降压控制器 7位 可编程 单...

1是一款高效的单相同步降压开关稳压控制器。凭借其集成驱动器,ADP3211经过优化,可将笔记本电池电压转换为高性能英特尔芯片组所需的电源电压。内部7位DAC用于直接从芯片组或CPU读取VID代码,并将GMCH渲染电压或CPU核心电压设置为0 V至1.5 V范围内的值。 特性 优势 单芯片解决方案。完全兼容英特尔IMVP-6.5 CPU和GMCH芯片组电压调节器规格集成MOSFET驱动器。 提高效率。 输入电压范围为3.3V至22V。 提高效率。 最差±7mV -case差分感应核心电压误差超温。 提高效率。 自动节电模式可在轻负载运行期间最大限度地提高效率。 提高效率。 软瞬态控制可降低浪涌电流和音频噪声。 当前和音频缩减。 独立电流限制和负载线设置输入,以增加设计灵活性。 改进设计灵活性ity。 内置电源良好屏蔽支持电压识别(VID)OTF瞬变。 提高效率。 具有0V至1.5V输出的7位数字可编程DAC。 提高效率。 短路保护。 改进保护。 当前监听输出信号。 提高效率。 这是一款无铅设备。完全符合RoHS标准和32引...

发表于 2019-07-29 19:02 18次阅读
ADP3211 同步降压控制器 7位 可编程 单...

NCP81149 具有SVID接口的单相电压调节...

49是一款单相同步降压稳压器,集成了功率MOSFET,可为新一代计算CPU提供高效,紧凑的电源管理解决方案。该器件能够在带SVID接口的可调输出上提供高达14A TDC的输出电流。在高达1.2MHz的高开关频率下工作,允许采用小尺寸电感器和电容器,同时由于采用高性能功率MOSFET的集成解决方案而保持高效率。具有来自输入电源和输出电压的前馈的电流模式RPM控制确保在宽操作条件下的稳定操作。 NCP81149采用QFN48 6x6mm封装。 特性 优势 4.5V至25V输入电压范围 针对超极本和笔记本应用进行了优化 支持11.5W和15W ULT平台 符合英特尔VR12.6和VR12.6 +规格 使用SVID接口调节输出电压 可编程DVID Feed - 支持快速DVID的前进 集成栅极驱动器和功率MOSFET 小外形设计 500kHz~1.2MHz开关频率 降低输出滤波器尺寸和成本 Feedforward Ope输入电源电压和输出电压的比例 快线瞬态响应和DVID转换 过流,过压/欠压和热保护 防止故障 应用 终端产品 工业应用 超极本应用程序 笔记本应用程序 集成POL U...

发表于 2019-07-29 19:02 14次阅读
NCP81149 具有SVID接口的单相电压调节...

NCP81141 Vr12.6单相控制器

41单相降压解决方案针对Intel VR12.6兼容CPU进行了优化。该控制器结合了真正的差分电压检测,差分电感DCR电流检测,输入电压前馈和自适应电压定位,为台式机和笔记本电脑应用提供精确调节的电源。单相控制器采用DCR电流检测,以降低的系统成本提供对动态负载事件的最快初始响应.NCP81141集成了内部MOSFET驱动器,可提高系统效率。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。获得专利的动态参考注入无需在闭环瞬态响应和动态VID性能之间进行折衷,从而进一步简化了环路补偿。获得专利的总电流求和提供高精度的数字电流监控。 应用 终端产品 基于工业CPU的应用程序 信息娱乐,移动,自动化,医疗和安全 电路图、引脚图和封装图...

发表于 2019-07-29 18:02 10次阅读
NCP81141 Vr12.6单相控制器

NCP81147 低压同步降压控制器

47是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP81147还具有软启动序列,精确的过压和过流保护,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 优势 内部高性能运算放大器 简化系统补偿 集成MOSFET驱动器 节省空间并简化设计 热关机保护 确保稳健的设计 过压和过流保护 确保稳健设计 省电模式 在轻载操作期间最大限度地提高效率 支持5.0 V至19 V输入 5.0 V至12 V操作 芯片使能功能通过OSC引脚 保证启动进入预充电负载 内部软启动/停止 振荡器频率范围为100 kHz至1000 kHz OCP准确度,锁定前的四次重入时间 无损耗差分电感电流检测 内部高精度电流感应放大器 20ns内部栅极驱动器的自适应FET非重叠时间 Vout从0.8V到3.3 V(5V,12V VCC) 热能补偿电流监测 ...

发表于 2019-07-29 18:02 242次阅读
NCP81147 低压同步降压控制器

NCP5230 低压同步降压控制器

0是一款单相解决方案,具有差分相电流检测,同步输入,远程接地节能操作和栅极驱动器,可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器,笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP5230还具有软启动序列,精确的过压和过流保护,用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 高性能误差放大器 >内部软启动/停止 0.5%内部电压精度,0.8 V基准电压 OCP精度,锁存前四次重入时间无损差分电感电流检测内部高精度电流检测放大器振荡器频率范围100 kHz 1000 kHz 20 ns自适应FET内部栅极驱动器非重叠时间 5.0 V至12 V操作支持1.5 V至19 V Vin Vout 0.8 V至3.3 V(具有12 VCC的5 V电压)通过OSC引脚实现芯片功能锁存过压保护(OVP)内部固定OCP阈值保证启动预充电负载 热补偿电流监控 Shutdow n保护集成MOSFET驱动器集成BOOST二极管,内部Rbst = 2.2 自动省电模式,最大限度地提高光效率负载运行同步功能远程地面传感这是一个无铅设备 应用 桌面和服务器系统 电路图、引脚图和封装图...

发表于 2019-07-29 17:02 9次阅读
NCP5230 低压同步降压控制器

NCP3030 同步PWM控制器

0是一款PWM器件,设计用于宽输入范围,能够产生低至0.6 V的输出电压.NCP3030提供集成栅极驱动器和内部设置的1.2 MHz(NCP3030A)或2.4 MHz( NCP3030B)振荡器。 NCP3030还具有外部补偿跨导误差放大器,内置固定软启动。保护功能包括无损耗电流限制和短路保护,输出过压保护,输出欠压保护和输入欠压锁定。 NCP3030目前采用SOIC-8封装。 特性 优势 输入电压4.7 V至28 V 从不同输入电压源调节的能力 0.8 V +/- 1.5%参考电压 能够实现低输出电压 1200 kHz操作(NCP3020B - 2400 kHz) 高频操作允许使用小尺寸电感器和电容器 > 1A驱动能力 能够驱动低Rdson高效MOSFET 电流限制和短路保护 高级保护功能 输出过压和欠压检测 高级保护功能 具有外部补偿的跨导放大器 能够利用所有陶瓷输入和输出电容器 集成升压二极管 减少支持组件数量和成本 受管制的软启动 已结束软启动期间的环路调节可防止任何尖峰或下垂 AEC-Q100和PPAP兼容(NCV3030) 适用于汽车应用 应用 终端产品 ...

发表于 2019-07-29 17:02 13次阅读
NCP3030 同步PWM控制器

Vishay推出了世界上体积最小的汽车级IHLP...

Vishay DaleIHLP-1212AZ-A1和IHLP-1212AB-A1电感器采用3.3 m...

发表于 2019-07-29 08:43 92次阅读
Vishay推出了世界上体积最小的汽车级IHLP...

三驾马车驱动,功率时时彩计划群前景如何?英飞凌陈清源这...

7月23日,2019英飞凌电源管理研讨会在深圳盛大开幕,英飞凌电源管理与多元化市场事业部大中华区高级...

发表于 2019-07-25 17:04 3274次阅读
三驾马车驱动,功率时时彩计划群前景如何?英飞凌陈清源这...

Vishay推业界体积最小的汽车级IHLP电感

Vishay 宣布,推出迄今体积最小的汽车级IHLP超薄、大电流电感---IHLP-1212Ax系...

发表于 2019-07-25 09:29 677次阅读
Vishay推业界体积最小的汽车级IHLP电感

ROHM开发出1.6mm×1.6mm尺寸超小型车...

RV4xxx系列已于2019年5月份开始出售样品(样品价格 100日元/个,不含税),预计于2019...

发表于 2019-07-24 16:13 600次阅读
ROHM开发出1.6mm×1.6mm尺寸超小型车...

Vishay推小型螺丝接头501 PGM-ST铝...

501 PGM-ST电容器在450 V至500 V范围内具有1000 F至18 000 F高容值...

发表于 2019-07-24 16:00 217次阅读
Vishay推小型螺丝接头501 PGM-ST铝...

Maxim发布新型LED驱动器,内置MOSFET...

MAX25610A/B内置MOSFET,效率高达90%并符合CISPR 25 EMI要求

发表于 2019-07-23 14:41 254次阅读
Maxim发布新型LED驱动器,内置MOSFET...

MOSFET需求激增,全球龙头企业产能预订一空

产能已满,有事排队

发表于 2019-07-19 10:00 541次阅读
MOSFET需求激增,全球龙头企业产能预订一空

Vishay短波紫外线发光二极管小型表面贴器件 ...

Vishay 宣布,推出新型短波紫外线(UVC)发光二极管小型表面贴器件--- VLMU35CL.。

发表于 2019-07-17 16:37 131次阅读
Vishay短波紫外线发光二极管小型表面贴器件 ...

Vishay荣获TTI美洲、欧洲和亚太地区优秀供...

Vishay宣布,公司荣获TTI优秀供应商奖,表彰其对TTI业务运营所做贡献。

发表于 2019-07-16 16:13 106次阅读
Vishay荣获TTI美洲、欧洲和亚太地区优秀供...

儒卓力发布英飞凌OptiMOS功率MOSFET ...

由于具有最低的导通电阻(RDS(on)),这些BiC MOSFET能够以良好的性价比降低损耗。此外,...

发表于 2019-07-15 16:37 226次阅读
儒卓力发布英飞凌OptiMOS功率MOSFET ...

Vishay宣布将缩短MLCC供货周期

Vishay宣布,为了兑现公司支持多层陶瓷片式电容器(MLCC)客户的承诺,宣布缩短MLCC供货周期...

发表于 2019-07-15 15:37 130次阅读
Vishay宣布将缩短MLCC供货周期

What ?55页PPT就把Mosfet从入门到...

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发表于 2019-07-15 09:58 2132次阅读
What ?55页PPT就把Mosfet从入门到...

双管正激变换器为何被视为最可靠的转换器之一

双管正激变换器:工作原理、FOM及器件选型指南

发表于 2019-07-12 18:30 317次阅读
双管正激变换器为何被视为最可靠的转换器之一

MOSFET栅极电压对电流的影响

FET通过影响导电沟道的尺寸和形状,控制从源到漏的电子流(或者空穴流)。沟道是由(是否)加在栅极和源...

发表于 2019-07-12 17:50 524次阅读
MOSFET栅极电压对电流的影响

Vishay推出针对智能手表和运动手环的新型环境...

Vishay 宣布,其光电子产品部推出用于智能手表和运动手环等紧凑应用的新型环境光传感器---VEM...

发表于 2019-07-10 17:08 226次阅读
Vishay推出针对智能手表和运动手环的新型环境...

增强型和耗尽型MOS场效应管的详细资料和计算方式...

根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,...

发表于 2019-07-06 09:48 614次阅读
增强型和耗尽型MOS场效应管的详细资料和计算方式...

碳化硅(SiC)功率器件发展现状

近年来,SiC功率器件的出现大大提升了时时彩计划群器件的性能,这对电力电子行业的发展意义重大。据Yole预...

发表于 2019-07-05 11:56 3275次阅读
碳化硅(SiC)功率器件发展现状

常见的MOSFET以及IGBT绝缘栅极隔离驱动技...

MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构,直流电不能通...

发表于 2019-07-03 16:26 231次阅读
常见的MOSFET以及IGBT绝缘栅极隔离驱动技...

功率MOSFET平均售价持续上升 成为IDM大厂...

自2018年开始,功率MOSFET(Power MOSFET)的平均售价(ASP)持续上升,其中以工...

发表于 2019-07-02 16:42 745次阅读
功率MOSFET平均售价持续上升 成为IDM大厂...

如何消除静电释放(ESD)对电子设备的干扰和破坏...

在PCB板的设计当中,可以通过分层、恰当的布局布线和安装实现PCB的抗ESD设计。在设计过程中,通过...

发表于 2019-07-02 11:24 996次阅读
如何消除静电释放(ESD)对电子设备的干扰和破坏...

IGBT基本结构和原理_IGBT设计关键因素

因为最近工作中比较多的涉及到IGBT,所以今天我们来聊一聊IGBT的设计的相关要点,当然只是从我们比...

发表于 2019-06-29 09:44 619次阅读
IGBT基本结构和原理_IGBT设计关键因素

Vishay 推出新系列VDR金属氧化物压敏电阻...

Vishay推出新系列VDR金属氧化物压敏电阻(MOV)---VDRUS系列,认证工作温度达+125...

发表于 2019-06-28 10:32 169次阅读
Vishay 推出新系列VDR金属氧化物压敏电阻...

MOSFET理解与应用 如何提高放大器的Robu...

哪些因素会影响MOSFET放大器的Robust增加一个电阻,提高Robust增加一个电容。

发表于 2019-06-26 14:33 156次阅读
MOSFET理解与应用 如何提高放大器的Robu...

MOS管阈值电压与沟长和沟宽的关系

关于 MOSFET 的 W 和 L 对其阈值电压 Vth 的影响,实际在考虑工艺相关因素后都是比较复...

发表于 2019-06-18 17:19 371次阅读
MOS管阈值电压与沟长和沟宽的关系

MOSFET开通时间和关断时间定义

电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原...

发表于 2019-06-18 16:49 712次阅读
MOSFET开通时间和关断时间定义

MOS管参数及含义说明

 交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数,输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间,而低频互导一般在十...

发表于 2019-06-18 16:01 324次阅读
MOS管参数及含义说明

光刻机的背景技术和工作原理及专利分析的详细资料说...

近两年,中国芯片产业受到了严重打击,痛定思痛之余也让国人意识到芯片自主研发的重要性。从2008年以来...

发表于 2019-06-16 09:56 1119次阅读
光刻机的背景技术和工作原理及专利分析的详细资料说...

亚洲工业市场规模已达44亿美元,ST打算吞下这块...

虽然工业市场规模庞大,然而却高度碎片化,要像吃下这块“肥肉”并不那么容易。为了能顺利吃到肉,2019...

发表于 2019-06-14 20:29 3668次阅读
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Vishay发布采用SMP封装的1A和2A整流器

Vishay宣布,推出eSMP系列SMP (DO-220AA)封装八款新型100 V和200 V器...

发表于 2019-06-13 16:23 248次阅读
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Vishay推出14款行业标准屏蔽尺寸的无线充电...

Vishay 宣布,推出14款行业标准屏蔽尺寸的新产品---八款单线圈发射器 (Tx)、三款三线圈发...

发表于 2019-06-12 16:33 281次阅读
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Vishay的IHSR-1616AB-01荣获电...

日前,Vishay 的 IHSR-1616AB-01 高饱和商用电感器荣获 2019 年电子工业奖“...

发表于 2019-06-06 17:13 722次阅读
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Vishay T55系列聚合物钽片式电容器扩充 ...

Vishay 宣布,公司扩充其T55系列vPolyTan表面贴装聚合物钽模塑片式电容器,新增D外形...

发表于 2019-06-06 15:49 255次阅读
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在LLC拓扑中,选择体二极管恢复快的MOSFET...

在当前全球能源危机的形式下,提高电子设备的能效,取得高性能同时降低能耗,成为业内新的关注点。为顺应这...

发表于 2019-06-04 10:09 528次阅读
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Vishay推新款汽车级power metal ...

Vishay推出外形尺寸2010和2512,额定功率2W和3W的新款汽车级power metal p...

发表于 2019-05-30 17:36 189次阅读
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Vishay推出径向引线高压单层瓷片电容器 业界...

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推...

发表于 2019-05-16 09:22 1074次阅读
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Vishay推出最新系列小型径向引线高压单层瓷片...

Vishay 宣布,推出最新系列小型径向引线高压单层瓷片电容器--- Roederstein HVC...

发表于 2019-05-15 18:03 156次阅读
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英飞凌科联合Schweizer开发出面向轻度混合...

英飞凌联合Schweizer电子股份公司成功开发出面向轻度混合动力汽车的新技术:芯片嵌入式功率MOS...

发表于 2019-05-14 16:58 506次阅读
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CISSOID新型栅极驱动器板亮相纽伦堡PCIM...

CISSOID在2019年欧洲功率电子及智能传动产品展览会(PCIM 2019)上展示了最新的高温栅...

发表于 2019-05-13 11:33 250次阅读
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详细分析MOSFET内部结构及参数特性的讲解

MOSFET从完全关断到完全导通经过哪几个阶段,在此过程中MOSFET为什么会发热。

发表于 2019-05-12 07:27 1216次阅读
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什么叫米勒电容?对MOSFET有何作用

什么叫米勒电容?如何作用和影响于MOSFET?

发表于 2019-05-12 07:27 1943次阅读
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电容在MOS管开关中CRSS的作用分析

CRSS也就是反向传输电容。这个电容在MOS管的开通和关的过程中,它的作用是十分重要的。

发表于 2019-05-11 09:39 1634次阅读
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浅谈MOSFET中栅极电阻的作用意义

MOSFET的栅极电阻有什么关键作用?

发表于 2019-05-11 09:32 1556次阅读
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MOSFET和三极管如何区分压控压型和流控流型

MOSFET和三极管哪个是压控压型,哪个是流控流型?

发表于 2019-05-11 09:22 1283次阅读
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MOSFET内部结构分析 驱动设计验证方案

什么叫MOSFET,作为电子硬件设计中非常重要的器件MOSFET有怎样的特性?MOSFET体二极管的...

发表于 2019-05-11 09:19 826次阅读
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Buck电源基础知识讲解

我们设计的这个Buck方案中对事件的最小开关时间是有要求的,这是第一点,第二点就是开关电源的频率是有...

发表于 2019-05-10 09:25 1119次阅读
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Vishayc 推出新型汽车级 IHLP 薄形、大电流 6767 外形尺寸电感器。Vishay D...

发表于 2019-05-10 08:36 466次阅读
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根据公司战略规划和业务需求,并结合公司全资子公司昆明闻泰通讯有限公司(以下简称“昆明闻泰”)的实际经...

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电流驱动电流检测电路详解,如何使用分流电压作为输...

运放必须是轨对轨输入,或有一个包括正供电轨的共模电压范围。零漂移运算放大器可实现最小偏移量。但请记住...

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发表于 2019-05-05 14:32 701次阅读
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第三代化合物时时彩计划群SiC及GaN市场及应用分析

SiC适合高压领域,GaN更适用于低压及高频领域。

发表于 2019-05-04 23:15 4548次阅读
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如何选择MOSFET——电机控制

本文主要讨论特定终端应用需要考虑的具体注意事项,首先从终端应用中将用于驱动电机的FET着手。电机控制...

发表于 2019-04-30 17:59 350次阅读
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在中长距反射传感器系统、红外光障系统(如车库门开门器等)、坐便盆及其他“物体存在”系统中,增益控制处...

发表于 2019-04-30 10:00 129次阅读
Vishay推出了传感器和光障系统应用优化的小型...

业内首款杠杆操作弹簧接头连接的LVAC功率电容器

Vishay推出采用ESTAspring,业内首款杠杆操作弹簧接头连接的新型系列LVAC功率电容器-...

发表于 2019-04-25 16:51 314次阅读
业内首款杠杆操作弹簧接头连接的LVAC功率电容器

Vishay新型电池分流器上市,精度更高,RTC...

Vishay 推出新款 WSBS8518.。.34 和 WSBS8518.。.35 Power Me...

发表于 2019-04-19 17:10 313次阅读
Vishay新型电池分流器上市,精度更高,RTC...

前级驱动电路设计中的自举电容

一个电源正端的一个电源,那么我们说这里应该用P管,对吧?那么如果呢这个管子放在D端,它的下面直接通D...

发表于 2019-04-17 09:52 2691次阅读
前级驱动电路设计中的自举电容
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